オージェ電子分光法は極表面層 数nm領域の元素分析が可能です。
スパッターエッチングと組合せることにより接合部界面の深さ方向分析も可能です。
Al／ITO TEGコンタクト不良の分析
予めFIB加工を施すことにより、イオンミキシング効果を低減させ、界面酸化膜の存在を明瞭に捉えることができます。
半導体デバイスのボンディングパッド部深さ方向分析
半導体素子のワイヤボンディング不良の発生したAlパッド部に対して、深さ方向分析を行った結果、
不良部パッドは正常部と比較して酸化膜が厚いことが判明しました。
また、不良パッド部には表面に炭素が検出されており、有機物汚染の可能性も考えられます。